Οι θέσεις εργασίας έρευνας έχουν μια αστεία μέθοδο να φουσκώσει από το ποσοστό από τους μη εμπειρογνώμονες, υπερβολικά υποσχόμαστε την κοινώς δίκαια μικρή επιτυχία που οι αφοσιωμένοι άνθρωποι που κάνουν την επιστήμη έχουν χειριστεί να βγάλουν έξω . Η κλιμάκωση του κόστους-αποτελεσματικά είναι ένας από τους σημαντικότερους δολοφόνους για την εμπορευματική έρευνα, γι ‘αυτό οι πρόσφατες εξελίξεις στην παραγωγή τρανζίστορ για το άνθρακα νανοτούτα έχουν ελπιδοφόρα.
Επί του παρόντος, πολλές διεργασίες αιχμής χρησιμοποιούν FETS (τρανζίστορ κρούσης πεδίου). Όπως έχουν πάρει μικρότερο, έχουμε προσθέσει πτερύγια καθώς και άλλες τεχνικές για να πάρει γύρω από την αλήθεια ότι τα πράγματα γίνονται παράξενα όταν είναι μικρά. Η αγορά θέλει να μετακόψει σε gaafets (πύλη γύρω από το FET) καθώς η Intel καθώς και η Samsung έχει δηλώσει τις 3 nm διαδικασίες τους (ή ισοδύναμο) θα χρησιμοποιήσουν το νέο τύπο πύλης. Καθώς τα τρανζίστορ έχουν συρρικνωθεί, το παρόν “εκτός κράτους” έχει αυξηθεί. Οι Gaafets είναι συσκευές πολλαπλών πύλων, επιτρέποντας πολύ καλύτερη διαχείριση αυτής της διαρροής, μεταξύ άλλων.
Ως συνήθως, ρίχνουμε μια ματιά σε αυτό που είναι τα τελευταία 3 nm προς τα 2 nm, καθώς και το ζήτημα είναι ότι ο Gaafet δεν θα κλιμακώσει τα 3 nm. Οι νανοσωλήνες άνθρακα είναι μια ενημερωμένη καινοτομία καθώς προσφέρουν μερικά σημαντικά πλεονεκτήματα. Διεξάγουν ζεστό εξαιρετικά καλά, παρουσιάζουν υψηλότερη μεταφορέα, καθώς και τη διεξαγωγή μεγάλων ποσοτήτων εξουσίας. Επιπλέον, δείχνουν υψηλότερη κινητικότητα ηλεκτρονίων από τα παραδοσιακά mosfets, καθώς και συνήθως ξεπερνώνται με λιγότερη εξουσία, ενώ ενώ βρίσκονται σε μεγαλύτερα μεγέθη. Αυτό είναι όλα για να δηλώσετε ότι είναι ένα αξιοσημείωτο κομμάτι τεχνολογίας με μερικές προειδοποιήσεις.
Το Gotchas συνδέεται κυρίως με την παραγωγή καθώς και την αξιοπιστία. Η παρούσα διαδικασία για την καλλιέργεια νανοσωλήνων δημιουργεί λίγους σωλήνες: μεταλλικό καθώς και ημιαγωγεί. Για τα τρανζίστορ, θέλετε να χρησιμοποιήσετε το τελευταίο αντί για το πρώτο, καθώς και να πάρετε ένα με ακρίβεια ομοιόμορφο μίγμα σωλήνων είναι δύσκολο όταν είναι μόνο 1 nm πλάτος. Επιπλέον, όταν έχετε ένα ομοιόμορφο, κορυφαίο μίγμα σωλήνων Notch, ακριβώς πώς παίρνετε τους σωλήνες όπου θέλετε; Κάθε τρανζίστορ θα χρησιμοποιήσει έναν αριθμό σωλήνων έτσι ώστε ένα ενιαίο δίσκο να χρησιμοποιεί έναν αριθμό τρισεκατομμυρίων σωλήνων. Ακόμη και σε κλάσματα κλάσεων των πενών, ένα τρισδιάστατο κάτι προσθέτει γρήγορα. Έχουν υπάρξει κάποιες προσπάθειες ανάπτυξης των σωλήνων σε τσιπ, ωστόσο η Ald (εναπόθεση ατομικής στρώσης) δεν πυροδοτείται από επιφάνειες άνθρακα.
Όπως συζητήσαμε νωρίτερα, υπάρχουν δύο ανησυχίες αξιοπιστίας. Πρώτον, οι νανοσωλήνες άνθρακα αυτού του μεγέθους υποβαθμίζουν την ατμόσφαιρα, μερικές πρώιμες ics μόνο μακράς διαρκείας λίγες εβδομάδες πριν από ένα σημαντικό κανάλι έσπασε. Δεύτερον, τα τρανζίστορ πολλαπλών καναλιών (όπου χρησιμοποιούνται αρκετοί σωλήνες ανά τρανζίστορ) διαρκούν περισσότερο από τις περιττές συνδέσεις.
Οι περισσότεροι παίκτες διερευνούν τον χώρο: IBM, DARPA, TSMC, Stanford, MIT, Intel, Nantero, καθώς και πολλά άλλα. Καλύτερο Υπάρχουν πολλά διαφορετικά σχέδια: περιτυλιγμένα, επεισόδια, εναιωρημένα, κορυφαία, καθώς και πυθμένα, χωρίς καμία κατανομή συναίνεσης στην οποία είναι καλύτερη.
Αυτή δεν είναι η πρώτη φορά που έχουμε μιλήσει για τα νανοσωλήνες άνθρακα σε τρανζίστορ καθώς και ελπίζουμε, δεν θα είναι το τελευταίο. Ενδεχομένως cntfets (τρανζίστορ Nanotube άνθρακα) θα χρησιμοποιηθούν σε συγκεκριμένες περιοχές όπως η μνήμη ή οι εφαρμογές υψηλής απόδοσης χαμηλής ισχύος.
[Εικόνα ευγένειας της Wikipedia]